淘汰NAND闪存？英特尔MRAM已准备投产

说到MRAM大家可能不太熟悉，这是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器，与NAND闪存相比，MRAM能够达到1ns的稳定时间，并且高于目前公认的DRAM理论限制，拥有更高的写入速度，可怕的是MRAM还拥有接近***次写入的性质。

据外媒报道，英特尔的MRAM已准备好在大批量生产中投入生产了，采用的是22纳米工艺。

据悉，英特尔工程师LigiongWei称，MRAM在其目前的生产特点下，能够在200°C下高温下保存10年的数据，并能承受超过10^6个切换周期。而且除了高耐久性外，22纳米嵌入式的MRAM技术的比特率超过了99.9%，这种相对保密的技术来说相当可怕。

点评：MRAM作为DRAM和NAND闪存的有力替代者，目前还略显青涩，在商用市场上没个一两年很难见到，但可以预料的是这个技术相当厉害，也许具有打造新型计算机和设备的潜力(整合内存和硬盘?)。

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