Nano ReRAM最终会取代DRAM和闪存吗？

【51CTO.com快译】一家以色列小公司正在利用纳米技术打破存储器领域的瓶颈。半导体公司Weebit Nano最近推出了SiOx ReRAM，它声称这是目前在开发中的最小巧、最节能的随机存取存储器（RAM）。一旦商业化，该公司预计有望提升存储激增数据的能力。

总部位于澳大利亚悉尼的TMT Analytics的负责人Marc Kennis解释，ReRAM（电阻式RAM）是一种混合技术，由于速度快、密度高，有朝一日有望取代存储界的NAND闪存和DRAM。他表示，ReRAM与闪存一样是非易失性，但速度与DRAM一样快。

Weebit结合了ReRAM与SiOX（二氧化硅），正试图获得快速、通用、低能耗的存储介质，又能够保存大量数据。尺寸也很小；目前仅40纳米大小。捎带提一下，1纳米是10亿分之一米。

数据保存能力是这个项目的一个重要目标。最近，Weebit Nano证明了其技术可以将存储的信息保存10年以上。

速度是另一个重要的方面。该技术几乎与DRAM速度一样快。Kennis表示，Weebit的存储器单元集DRAM和闪存的优点于一身，不但速度非常快，还能长期保存数据。

Weebit Nano处理数据存储的方式与目前大多数技术通过闪存和DRAM来处理的方式截然不同。

他说："展望未来，将DRAM存储器单元缩减到远小于20纳米的尺寸面临成本迅速增加到难以承受的地步。此外，3D NAND闪存中做到超过128层目前被认为是一大挑战，因为在蚀刻多层的同时沉积更高纵横比的NAND string闪存单元将牺牲可制造性和可靠性。"

Kennis认为，这项技术大有潜力，有望在三五年内补充甚至部分取代DRAM和闪存。他预计该技术在数据中心、智能手机、笔记本电脑和物联网设备等领域会牢牢占有一席之地。

多年来Weebit Nano一直致力于研究这项技术，将尺寸从300纳米缩小至40纳米。***执行官Coby Hanoch表示，下一个目标是进一步缩小至29纳米。

原文标题：Will Nano ReRAM Eventually Replace DRAM and Flash?，作者：Karen D. Schwartz

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