DDR2 ODT_ddr vtt电压
经常有人会说支持DDR2的主板存在偷工减料的现象。事实上这是由于DDR2内存中使用了一项新的ODT技术，它可以在提高内存信号稳定性的基础上节省不少电器元件(个人想法：ODT会增加功耗的阿)。主板终结是一种最为常见的终结主板内干扰信号的方法。在每一条信号传输路径的末端，都会安置一个终结电阻，它具备一定的阻值可以吸收反射回来的电子。但是目前DDR2内存的工作频率太高了，这种主板终结的方法并不能有效的阻止干扰信号。若硬要采用主板终结的方法得到纯净的DDR2时钟信号会花费巨额的制造成本。
ODT是On-Die Termination的缩写，其意思为内部核心终结。从DDR2内存开始内部集成了终结电阻器，主板上的终结电路被移植到了内存芯片中。在内存芯片工作时系统会把终结电阻器屏蔽，而对于暂时不工作的内存芯片则打开终结电阻器以减少信号的反射。由此DDR2内存控制器可以通过ODT同时管理所有内存引脚的信号终结。并且阻抗值也可以有多种选择。如0Ω、50Ω、75Ω、150Ω等等。并且内存控制器可以根据系统内干扰信号的强度自动调整阻值的大小。
其实ODT技术的具体内部构造并不十分复杂。在内存各种引脚与内存模组的内部缓冲器中间设有一个EMRS扩展模式寄存器，通过其内部的一个控制引脚可以控制ODT的阻抗值。系统可以使用2bit地址来定义ODT的四种工作状态。（0Ω、50Ω、75Ω、150Ω）一旦ODT接到一个设置指令，它就会一直保持这个阻值状态。直到接到另一个设置指令才会转换到另一种阻值状态。
当向内存写入数据时，如果只有一条内存，那么这条内存就自己进行信号的终结，终结电阻等效为150Ω。如果为两条内存，那么他们会交错的进行信号的终结。第一个模组工作时，第二个模组进行终结操作，等第二个模组工作时，第一个模组进行终结操作，但等效电阻为75Ω。当有三条内存的时候，三条会交替进行信号终结，但等效电阻为50Ω。
整个ODT的设置和控制都要通过EMRS中那个控制引脚来完成。因此这个引脚的响应速度成为了ODT技术中的关键因素。ODT工作时有两种基本模式：断电模式和其他模式。其中其他模式还包括激活模式和备用模式。ODT从工作到关闭所用的时差叫做tAONPD延迟，最少仅2个时钟周期就可以完成，最多5个时钟周期。ODT从关闭到工作所用的时差叫做tAOFPD延迟，最少仅2个时钟周期完成，最大需要五个时钟周期。由于开启和休眠的切换如此迅速，内存可以在不影响性能的前提下充分的进行“休息”。
ODT技术的优势非常明显。第一，去掉了主板上的终结电阻器等电器元件，这样会大大降低主板的制造成本，并且也使主板的设计更加简洁。第二，由于它可以迅速的开启和关闭空闲的内存芯片，在很大程度上减少了内存闲置时的功率消耗。第三，芯片内部终结也要比主板终结更及时有效，从而减少了内存的延迟等待时间。这也使得进一步提高DDR2内存的工作频率成为可能。
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