美国格罗方德公司公布硅光子学发展路线图
关键词：硅基光互连 90纳米 45纳米 线路图
近日，美国格罗方德公司（GLOBALFOUNDRIES）透露了其硅光子学路发展线图的新细节，以便为数据中心和云应用提供下一代光学互连技术。该公司现在已经通过使用300毫米晶圆的验证了业界首款90纳米制程工艺，同时推出即将推出45纳米技术，以提供更大的带宽和能源效率。
背景
格罗方德公司公司的硅光子技术旨在支持当今全球通信基础设施传输数据的大幅增长。与传统互联方式即使用铜线上的电信号传输数据不同，硅光子技术使用脉冲光通过光纤以更高的速度在更长的距离中传输更多的数据，同时还将能量损失降至最低。
格罗方德公司的销售和ASIC业务部门高级副总裁Mike Cadigan表示：“对带宽的巨大需求推动了对新一代光学互连技术的需求。我们的硅光子技术使客户能够为数据传输提供前所未有的连接水平，无论是在数据中心的芯片之间，还是在跨越数百甚至数千英里的云服务器之间。结合我们先进的ASIC和封装能力，我们能够为这个市场提供高度差异化的解决方案。”
格罗方德公司的硅光子技术能够将微小的光学元件与电路并排集成在一块硅片上。这种“单片”方法利用标准硅制造技术来提高生产效率并降低客户部署光学互连系统的成本。
技术现状
格罗方德公司目前的硅光子产品采用90纳米RF SOI工艺制造，利用该公司在制造高性能射频（RF）芯片方面的顶级经验。该平台能够提供30吉赫带宽的解决方案，支持高达800吉比特每秒的客户端数据速率以及高达120千米的长距离传输功能。
此前，该技术已用于200毫米晶圆加工生产，现在GF公司位于纽约东菲什基尔的Fab 10工厂在大直径300毫米晶圆上获得了该技术认证。采用300毫米晶圆可实现更高的客户容量、更高的生产效率以及高达2倍的光子损耗减少量，以改善覆盖范围并实现更高效的光学系统。
90纳米技术由完整的PDK支持，用于Cadence设计系统的E/ O / E协同设计，偏振，温度和波长参数，以及差异化的光子测试功能，包括从技术验证和建模到MCM产品测试的五个测试部分。
未来路线图
格罗方德公司的下一代单片硅光子产品将采用其45纳米RF SOI工艺制造，预计2019年生产。通过利用更先进的45纳米节点，该技术将实现更低功耗，更小尺寸和更高带宽的光收发器产品解决下一代太比特应用。
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