芯片制程突破1nm后，这个发展方向很有前景
众所周知，芯片的工艺是越来越先进，台积电的代工能力已经到5nm了，而且直言不讳的表示3nm、2nm已经在路上了。
随着集成电路的发展，计算机一直受到摩尔定律的支配，目前，芯片都是由硅为基础，在上面刻蚀电路，但是，理论研究表明，当芯片制程达到1nm的时候，量子隧穿效应，就是电子不受控制，所以这是人们很担心的问题，1nm后怎么办?
芯片上有无数个晶体管，他们是芯片的核心，也就说，目前的技术是要把晶体管做的越来越小，这样，芯片上能容纳的晶体管就很多，芯片的性能就随之增加。而目前最小的是1 nm栅极长度的二硫化钼晶体管。而且，并不是到1nm才会发生击穿效应，而是进入7nm节点后，这个现象就越来越明显了，电子从一个晶体管跑向另一个晶体管而不受控制，晶体管就丧失了原来的作用。
目前人类马上将硅基材料的性能压缩到了极限，所以，不能一棵树上吊死，更换材料已经被提上日程，而且，目前最有希望的便是二硫化钼(MoS2)。
硅和二硫化钼(MoS2)都有晶体结构，但是，二硫化钼对于控制电子的能力要强于硅，众所周知，晶体管由源极，漏极和栅极，栅极负责电子的流向，它是起开关作用，在1nm的时候，栅极已经很难发挥其作用了，而通过二硫化钼，则会解决这个问题，而且，二硫化钼的介电常数非常低，可以将栅极压缩到1nm完全没有问题。
1nm是人类半导体发展的重要节点，可以说，能不能突破1nm的魔咒，关乎计算机的发展，虽然二硫化钼的应用价值非常大，但是，目前还在早期阶段，而且，如何批量生产1nm的晶体管还没有解决，但是，这并不妨碍二硫化钼在未来集成电路的前景。
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