中科院GAA FET成果斩获科技部首届全国颠覆性技术创新大赛优胜奖

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集微网消息，中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心朱慧珑研究员课题组的“垂直自对准环栅晶体管集成制造技术”项目，日前在科技部主办的首届全国颠覆性技术创新大赛中荣获总决赛优胜奖。

环栅场效应晶体管（GAA FET），是半导体制造先进制程演进的重要构型之一，据介绍，该中心朱慧珑课题组对这一构型的基础器件和关键工艺开展了系统的专利布局和研发，提出并实现了世界上首个具有自对准栅极的叠层垂直纳米环栅晶体管（Vertical Sandwich Gate-All-Around FETs或VSAFETs），在此基础上不断迭代技术，又推出可精确控制单晶沟道尺寸的新型垂直纳米环栅晶体管（Vertical C-channel FETs或VCCFETs），新型垂直晶体管可对多项关键的器件几何参数实现纳米级控制，精度优于现有先进光刻和刻蚀技术水平。（校对/乐川）