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【笔记：模拟MOS集成电路】单级放大器（非高频）

发布时间：2021-05-09 00:00| 有 位朋友查看

简介：单级放大器总结 一、共源极 1、采用电阻作负载的共源极 电路分析 先做出小信号等效电路图然后对其进行分析 2、采用二极管连接型器件作为负载的共源极 PMOS连接成的二极管无衬底偏置 由电路图M2作为M1的负载然后求出等效阻抗看成采用电阻作负载的共源极然后很……

单级放大器（总结）

一、共源极

1、采用电阻作负载的共源极
在这里插入图片描述

电路分析：

先做出小信号等效电路图，然后对其进行分析：
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2、采用二极管连接型器件作为负载的共源极

PMOS连接成的二极管，无衬底偏置

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由电路图，M2作为M1的负载，然后求出等效阻抗，看成采用电阻作负载的共源极，然后很容易得到其对应的增益Am
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NMOS连接成的二极管，有衬底偏置

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同理求出等效阻抗，M2作为M1的负载，对应的增益Am
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3、采用电流源作负载的共源极

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由电路图，在交流小信号模型下，经过电路化简，很容易得到最后的电路形式，仍然可以归结为采用电阻作负载的共源极接法（或者直接求出等效阻抗）
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4、有源负载的共源极

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由电路图，得到交流小信号电路图，经过电路图化简，得到类似电阻作负载的共源极接法的电路图形式，对应增益Am如下：
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5、工作在线性区的mos为负载的共源极
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由电路图，得到交流小信号电路图，经过电路图化简，仍然可以得到类似电阻作负载的共源极接法的电路图形式，对应增益Am如下：
在这里插入图片描述

下面的内容会用到辅助定理，公式如下：

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6、带源极负反馈的共源极
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求解Gm：输出短接，变为GND，因此RD被短路，如图：
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求解Rout：输入短接，变为GND，如图：
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由辅助定理，得到带源极负反馈的共源极增益

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二、源极跟随器

为了简化计算，忽略沟道调制效应
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三、共栅极

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求解Gm：输出短接，变为GND，因此RD被短路，如图：
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求解Rout：输入短接，变为GND，如图：
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形式类似带源极负反馈的共源极接法
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由辅助定理 得到电压增益Am:
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三、共源共栅极

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分析：
求解Gm：输出短接，如图：
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求解Rout：输入短接，如图：
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由辅助定理：
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四、采用PMOS共源共栅负载的NMOS共源共栅放大器

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时间原因，可能还存在一些错误，欢迎交流探讨

；原文链接：https://blog.csdn.net/qq_45689790/article/details/115438759
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