西数开始生产首款512GB 64层3D NAND芯片

日前，西部数据宣布其新型512GB，64层3D NAND芯片在日本四日市制造厂已经开始试生产，该芯片硅晶圆采用了TLC闪存设计(可实现每单元3位的存储量)。并且公司计划在2017年下半年开始大批量生产。是不是有些似曾相识，我们倒回2016年7月，西数宣称开始对采用其BiCS3技术的64层3D NAND进行试生产。那么时至2017年，两者之间有何不同?

2016年的芯片容量为256GB，今年发布的芯片容量是它的两倍。西数早期的BiCS2 3D NAND芯片，表面积为105平方毫米，48层，256GB容量。2016年从48层到64层不断加高，照说容量也应该有所提升，奇怪的是没有，可能西数的初代64层芯片采用了比48层芯片更大的光刻尺寸。

今年的这款3D NAND闪存芯片是基于垂直堆叠或西数与东芝合作称为BiCS(Bit Cost Scaling)的3D技术。

西数bics3 3D NAND闪存

这款***的3D NAND芯片已经用于构建口香糖大小，具有3.3TB以上存储容量的SSD和容量超过10TB的标准2.5寸SSD。

三星是***家在2013年就宣布大批量生产3D闪存芯片的企业，它们的技术称为V-NAND，最初是32层NAND闪存堆储容量相当于东芝的48层3D NAND芯片，存储容量为128GB或16GB。

英特尔和美光也都在生产3D NAND。美光一直致力于64层3D NAND，号称一个256GB容量的芯片表面积仅为59平方毫米，是最小的64层3D NAND芯片，其晶圆体密度约为每平方毫米4.3GB容量。

小结

投资公司Stifel Nicolaus老板，Aaron Rakers罗列了以下多家供应商并对其闪存晶圆体密度进行了以下对比：

乍看起来，美光目前处于劣势，除非它的芯片尺寸小到你能在闪存驱动器上获得足够的容量，相当于竞争对手的512GB容量的芯片。这似乎不大可能。

此外，海力士正在开发72层堆叠闪存，转回去年7月份，三星宣称将在西数和东芝之前生产64层3D NAND芯片。三星的48层芯片具有256GB的容量，虽然Rakers的图中并未显示这一点，但我们预计64层芯片容量可跃升至512GB。

本文转载自网络，原文链接：http://www.dostor.com/p/43423.html
本站部分内容转载于网络，版权归原作者所有，转载之目的在于传播更多优秀技术内容，如有侵权请联系QQ/微信：153890879删除，谢谢！