业界领先！昕感首发1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片！
近日，昕感科技面向新能源领域推出一款重量级SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0），实现了业界领先的超低导通电阻规格1200V/7mΩ。
众所周知，对于电动汽车来说，电驱动系统是最为核心的部分。而在电机驱动系统中，MOSFET通常作为电机逆变器的关键元件，将直流电源转换为交流电源，以驱动三相电机运转。在这过程中，从电能到机械能的转换效率即电驱动系统效率就显得极其重要。
相对于传统的硅基MOSFET来说，SiC MOSFET得益于SiC材料的加持，具有更低的导通电阻、更低的开关损耗、更高的击穿电场强度和高温稳定性，可以使电机驱动系统具有更高的效率、更高的功率密度，并且拥有更长的使用寿命。
目前，众多的电动汽车都开始向800V高压平台迁移，需要 800V—1200V的功率元器件支持。而更高效的1200V SiC MOSFET正是电动汽车800V高压平台必不可少的关键器件。
对于SiC MOSFET来说，导通电阻是一项重要的性能指标，反映了器件在导通状态下的损耗和效率。在1200V的工作电压下，SiC MOSFET通常具备更低的导通电阻，可以实现更高的功率密度和更低的能量损耗。
虽然目前一些国际大厂的SiC MOSFET的导通电阻可以控制在1200V/3mΩ以下，但是国产SiC MOSFET厂商由于起步相对较晚，目前导通电阻水平多数都还是在1200V/10mΩ以上。显然，昕感科技的1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片已经达到了业界领先的水平。
据介绍，昕感这款新品基于车规级工艺平台，采用先进结构和制造工艺，兼容18V栅压驱动，配合TO-247-4L Plus封装，有力提升了国产碳化硅器件的性能。新产品瞄准新能源汽车主驱等亟需高压大电流与低损耗的功率半导体开关应用，助力新能源领域快速更新换代，为国家“碳达峰、碳中和”目标的实现做出贡献。
昕感新品采用出色的TO-247-4L Plus封装，具备开尔文源极和低热阻等优势，能够显著降低开关损耗及震荡，提升器件散热表现。
昕感新品工作电流可达300A以上，具有正温度系数，可方便实现大电流并联。同时，昕感新品的漏电流极低（<1μA@1200V），具备优越的高压阻断特性。
△N2M120007PP0器件部分静态特性
昕感新品已完成一系列动态测试和可靠性考核（HTRB、pHTGB、nHTGB、H3TRB等），在不同条件下正常动态开关。
△N2M120007PP0器件800V/200A下的开关波形
除TO-247-4L Plus等单管封装外，昕感1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片也可封装进定制化功率模块，便于广泛实现其在汽车主驱等新能源领域中的应用。
昕感科技聚焦于第三代半导体碳化硅功率器件和功率模块的技术突破创新和产品研发生产，致力于成为国内领先和具有国际影响力的功率半导体变革引领者。昕感科技拥有从器件到模块再到应用的全流程高度定制化技术能力，能够匹配各领域客户需求，帮助客户快速建立差异化竞争优势。
昕感科技已在650V、1200V、1700V等电压平台上完成数十款碳化硅器件和模块产品量产。其中，1200V SiC MOSFET产品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ直至7mΩ等导通电阻规格，模块产品对标EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封装形式。1200V/80mΩ SiC MOSFET已通过AEC-Q101车规级可靠性认证，也标志着在此工艺平台上开发的多款更低导通电阻器件达到车规级可靠性水平。
编辑：芯智讯-浪客剑